Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry

5331

Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry

Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií. Kromě zkoumání úhlové emise SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energie dopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p–n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.
Řešitel v ÚPT: 
Ing. Filip Mika, Ph.D.
Řešitel: 
Filip Mika - Ústav přístrojové techniky AV ČR, v.v.i.
Agentura: 
GA ČR
Reg. č.: 
GP102/09/P543
Datum od: 
1. 1. 2009
Datum do: 
31. 12. 2010