Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů

5532

Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů

Cílem projektu je vypracovat model mechanismu tvorby kontrastu obrazu v sekundárních elektronech (SE) v rastrovacím elektronovém mikroskopu (REM) při zobrazování dopované oblasti na povrchu polovodiče nebo na příčném řezu mnohavrstvou strukturou. Stávající model, založený na lokálních rozdílech ionizační energie, nedokáže vysvětlit pozorované jevy, zejména závislost kontrastu na vakuových podmínkách v mikroskopu. Je třeba prostudovat vliv přítomnosti velmi tenkých povrchových vrstev, mj. vrstvy uhlovodíků rozkládajících se pod dopadem elektronového svazku. Experimenty budou probíhat na dopovaných substrátech vystavených různým vakuovým podmínkám a pozorovaných pomocí klasického REM i REM s katodovou čočkou pro mikroskopii pomalými elektrony. Povrchy budou studovány pomocí Augerových elektronů, a to jak v původním stavu, tak i po odstranění povrchových vrstev. Bude také studován vliv sběrové účinnosti detektoru SE a tedy vliv elektrických a magnetických polí v oblasti vzorku na konečný kontrast obrazu.
Řešitel v ÚPT: 
Ing. Ilona Müllerová, DrSc.
Řešitel: 
Ilona Müllerová - Ústav přístrojové techniky AV ČR, v.v.i.
Agentura: 
GA ČR
Reg. č.: 
GA102/05/2327
Datum od: 
1. 1. 2005
Datum do: 
31. 12. 2007